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在金属中由于有大量电子移动抵消外加电场，外加的电场能使金属表层的电荷分布发生改变。然而，在半导体中，正负电荷的密度较低，无法完全抵消外加电场，所以外加电场会在半导体材料表面附近改变材料的导电性，这被称为“场效应”。场效应应用于肖特基二极管，场效应晶体管（主要指的是MOSFET，JFET和MESFET）。

在外加电场的作用下，接近半导体表面一定深度下的电子能级发生改变，这导致了材料表面的导电性发生改变，也使得材料表面区域的电子能占有的能级发生变化。这种效应具有代表性的表征方式是“能带弯曲图”。能带弯曲图表征了材料表面的能带边界Ef, Ec, Ev与进入材料深度x之间的关系。

如右图所示一个典型的能带弯曲图。为了简化，能带中的能量单位是eV，电压的单位是V，避免了引入参数q作为单位电荷。右图中显示的是一个双层结构，左边是绝缘体层，右边是半导体层。一个使用类似结构的例子是MOS电容，一个双端的结构，一边是金属栅极端，一边是半导体材料（比如硅）端，中间夹着一层绝缘层（比如氧化硅）。右图中，左边的子图显示出了导带的最低能级（Conduction Edge）和价带的最高能级（Valence Edge）。这些能带在外加电压V的作用下发生弯曲。依照习惯，图中显示的是电子的拥有能量，所以一个正电压作用于半导体材料会使材料表面的能带向下弯曲。虚线表示的是能级占有情况费米能级Ef：低于Ef倾向于被电子占领，导带在外加电压作用下向下弯曲更加接近Ef，表明在接近绝缘层的地方导带中存在更多的电子。

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空军杰出服役勋章用于授予那些在服役期间，身处责任重大的岗位上且为美国政府作出了杰出贡献的美国空军成员。这里的“责任重大”（great responsibility）指的是资深的军事岗位，通常此勋章只授予空军少将以上的军衔，但在军官退休时此标准会适当放宽。近年来，在空军准将或美国空军总军士长退役时，也会获颁空军杰出服役勋章。

该勋章授予给将官或空军总军士长之外的个人的次数极少，几近不可考。但阿波罗11号的宇航员巴兹·奥尔德林在以上校军阶退役时，获颁了空军杰出服役勋章。

空军杰出服役勋章由美国国会于1960年7月6日批准设立。勋章由纹章研究所（Institute of Heraldry）的弗兰克·阿尔斯顿（Frank Alston）设计。

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刘氏掌突蟾（学名：Leptobrachella laui），一种分布于中华人民共和国广东省和香港特别行政区等地区的两栖动物，隶属于角蟾科掌突蟾属。模式产地为香港大帽山。种加词取自香港学者刘惠宁（Michael Wai-Neng Lau）的姓氏，以表彰其对亚洲特别是华南地区两栖动物研究的贡献。

刘氏掌突蟾雄蟾体长24.8～26.7毫米，雌性体长28.1毫米左右。身体背部为褐色，散布有小的黄色斑点；指，小臂，附骨，大腿和胫骨的背面有不明显的棕灰色横条纹；胸腹部呈不透明的乳白色，前臂和大腿的腹面淡红色。

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