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另一个特别的利益是从此埃及摆脱了其不友好的邻国苏丹有机会对其埃及命脉尼罗河水的控制。
因为现在绝大多数的埃及人都工作、居住在尼罗河谷，埃及还在计划从纳赛尔湖引出另外一条和尼罗河平行的水道，扩大经济面积。
此外，阿斯旺水坝的新坝工程在1971年建成时亦为埃及人带来另类利益。因新坝工程破坏了传递裂谷热的埃及伊蚊的生态环境，故裂谷热实际上于1980年后绝迹于埃及。
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任何两种相接触的固体的费米能级（Fermi level，或者严格意义上，化学势）必须相等。 费米能级和真空能级的差值称作功函数。接触金属和半导体具有不同的功函数，分别记为和。当两种材料相接触时，电子将会从低功函（高Fermi level）一边流向另一边直到费米能级相平衡。从而，低功函（高Fermi level）的材料将带有少量正电荷而高功函（低Fermi level）材料则会变得具有少量负电荷。最终得到的静电势称为内建场记为。这种接触电势将会在任何两种固体间出现并且是诸如二极管整流现象和热电效应等的潜在原因。内建场是导致半导体连接处能带弯曲的原因。明显的能带弯曲在金属中不会出现因为他们很短的屏蔽长度意味着任何电场只在接触面间无限小距离内存在。
在经典物理图像中，为了克服势垒，半导体载流子必须获得足够的能量才能从费米能级跳到弯曲的导带顶。穿越势垒所需的能量是内建势及费米能级与导带间偏移的总和。同样对于n型半导体，当中是半导体的电子亲合能（electron affinity），定义为真空能级和导带（CB）能级的差。对于p型半导体，其中是禁带宽度，e是基本电荷。当穿越势垒的激发是热力学的，这一过程称为热发射。真实的接触中一个同等重要的过程既即为量子力学隧穿。WKB近似描述了最简单的包括势垒穿透几率与势垒高度和厚度的乘积指数相关的隧穿图像。对于电接触的情形，耗尽区宽度决定了厚度，其和内建场穿透入半导体内部长度同量级。耗尽层宽度可以通过解泊松方程以及考虑半导体内存在的掺杂来计算:
在MKS单位制是净电荷密度而是介电常数。几何结构是一维的因为界面被假设为平面的。对方程作一次积分，我们得到
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他的强大劲敌就是虚无浪人—眠狂四郎，爱染一面观察将军行踪、一面暗自熟练圆月杀法，准备先除掉狂四郎、再灭将军。狂四郎因大意遭到爱染胁持，没想到爱染也因为大意没能杀成将军，差点命丧于火枪之下。
狂四郎和爱染两方都使出圆月杀法，谁胜谁负？
* 原作：柴田炼三郎（周刊「新潮」连载）
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