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频率选择表面（Frequency Selective Surface），是一种薄的、周期性的介质面（例如微波炉的炉门），用来反射、透射或吸收一定频率的电磁波。可以说频率选择面是一种光学滤波器，其滤波功能是通过频率选择表面上的规则的、周期的图案（通常是金属，有时是电介质）来实现的。根据频率选择面的结构，频率选择面还具有随入射角和极化性质发生变化的特性。频率选择表面已被广泛应用于射频领域，还在微波炉、天线罩和超材料上有广泛应用。有时频率选择面也被简称为周期面。
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拥有SiGe制作服务的共有以下几家公司：国际商务机器（IBM）、意法半导体（STMicroelectronics）、台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）、飞思卡尔（Freescale，原本的摩托罗拉半导体部门）、索尼（Sony）、Atmel、Chartered Semiconductor Manufacturing、Micrel、英飞凌（Infineon）、德州仪器（TI）、IHP、Jazz Semiconductor，原本的胜讯（Conexant）。超微半导体（AMD）有意加入IBM的SiGe应变矽技术开发计划，让技术迈入65nm级规模。
2015年七月，IBM公司宣布通过SiGe工艺制成了7 nanometer级晶体管，有望使晶体管的产量上升三倍。
SiGe材料可让异质接面双极性电晶体整合进CMOS逻辑积体电路，达成混合讯号电路的功能。异质接面双极性电晶体比起同质接面双极性电极体，拥有高顺向增益、低逆向增益、低电流和较好的高频特性等优点。但在异质面技术中，与仅使用硅的技术相比，SiGe这种化合物半导体更容易进行能带调节。
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拉玛八世大桥（สะพานพระราม 8）位于泰国曼谷，是一座跨越湄南河的斜拉桥，为缓解附近Phra Pinklao Bridge的交通堵塞而兴建。大桥建于1999年至2002年，2002年5月7日通车，并于同年9月20日——已故泰国国王拉玛八世的诞辰纪念日当天举行了启用仪式，并以其名号为大桥命名。
大桥采用非对称设计的倒“Y”型单塔结构，桥塔位于河流西岸，共设置84根斜拉索，主跨一侧为双索面，而另一侧为单索面。大桥主跨长m，建成时是当时世界上主跨最长的非对称斜拉桥。
湄南河将曼谷分隔为东岸的主城区和西岸的吞武里，多座公路桥连接着河流两岸。到1990年代中期，这些跨河通道的交通堵塞情况变得特别严重，尤其是帕宾劳大桥，被认为是最为糟糕的。在普密蓬·阿杜德国王的建议下，Bangkok Metropolitan Administration授权开展关于修建新桥的研究，桥址位于帕宾劳大桥以北，以缓解其拥堵。
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