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仵瑜，字忠父，号东澥，湖广武昌府蒲圻县（今湖北省蒲圻县）人，明朝政治人物。进士出身。
仵瑜之父仵绅历任工部主事。仵瑜从小即有操行志向，正德五年（1510年）庚午科湖广乡试第一名举人。正德十二年（1517年）登丁丑科会试第三百十九名，廷试二甲四十二名进士，都察院观政，随即谢病归。此后起用为礼部主事，再次引病归乡。
明世宗继位，起用为原职。曾经上疏劝阻皇帝勤政并招募人才等建议。大礼议事件中被杖身死。
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* 2005年7月：第1期工程（江南－亭子）动工。
* 2010年7月29日：第2期工程（亭子－光教）动工。
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矽锗（Silicon-germanium，缩写为SiGe），是一种合金，依矽和锗的莫耳比可以表示成SixGe1-x。常被用作积体电路（IC）中的半导体材料，可做成异质结双极性晶体管或CMOS电晶体中的应变诱发层（strain-inducing layer）。IBM公司于1989年在工业生产中引入了硅锗合金相关技术，这一新技术使混合讯号积体电路和类比积体电路的设计与生产多了一项选择。
使用传统的矽半导体器件制造技术，即可在晶圆上形成SiGe。在CMOS制程方面，SiGe制程的成本和矽制程相当，但在异质接面技术方面，SiGe制程的成本比砷化镓制程还要低。近来，使用有机金属气相磊晶 （MOVPE）沉积高纯度的含Ge薄膜、SiGe和应变矽时，会使用只有少量危害的液体来当做替代物，像有机锗化合物前体（如：异丁基锗烷、三氯锗烷、二甲氨基三氯锗烷）。
拥有SiGe制作服务的共有以下几家公司：国际商务机器（IBM）、意法半导体（STMicroelectronics）、台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）、飞思卡尔（Freescale，原本的摩托罗拉半导体部门）、索尼（Sony）、Atmel、Chartered Semiconductor Manufacturing、Micrel、英飞凌（Infineon）、德州仪器（TI）、IHP、Jazz Semiconductor，原本的胜讯（Conexant）。超微半导体（AMD）有意加入IBM的SiGe应变矽技术开发计划，让技术迈入65nm级规模。
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